kaiyun体育网页版登录·官方网站

汽车你的位置:kaiyun体育网页版登录·官方网站 > 汽车 > 体育游戏app平台传统硅基器件在高频责任时存在成果和功率密度的局限性-kaiyun体育网页版登录·官方网站
体育游戏app平台传统硅基器件在高频责任时存在成果和功率密度的局限性-kaiyun体育网页版登录·官方网站

2025-02-26 08:27    点击次数:99

  

体育游戏app平台传统硅基器件在高频责任时存在成果和功率密度的局限性-kaiyun体育网页版登录·官方网站

小引

跟着电动汽车产业的快速发展,车载充电机(On-Board Charger,OBC)算作电动汽车的中枢组件之一,其热切性日益突显。OBC不仅是聚拢电动汽车与外部电源的桥梁,还凯旋决定了车辆的充电成果、电板寿命以及合座使用体验。

连年来,碳化硅(SiC)功率器件凭借其超卓的电气性能和出色的热强健性,逐步成为车载充电机限制的工夫焦点。它不仅普及了充电成果,还为电动汽车的快速充电和高压平台发展提供了强有劲的补助。

本文将深刻接头车载充电机的基情愿趣和工夫发展趋势,并聚焦碳化硅功率器件在OBC中的诈欺,揭示其怎样激动电动汽车行业的更动。

01 什么是车载充电机?

车载充电机(OBC)是电动汽车中的要道部件,认真将外部输入的疏浚电(AC)改变为直流电(DC),为能源电板充电。除了电能改变,OBC还具备多种保护机制,约略精确限制充电参数,延迟电板寿命,并通过高效改变工夫普及充电成果。

张开剩余90%

此外,OBC还能妥当万般化的充电需求,匡助电动汽车更好地融入不同的使用场景。

02 传统车载充电机使用什么类型的功率器件?

在传统的车载充电机中,硅基(Si)功率半导体器件上演了热切扮装。具体来说有两种:

· IGBT(绝缘栅双极型晶体管):平素诈欺于11kW及以下功率品级的OBC中,主要用于功率改变的中枢部分。

· 硅基MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管):多用于低压、高频电路部分。

然则,传统硅基器件在高频责任时存在成果和功率密度的局限性,限制了车载充电机性能的进一步普及。

03 车载充电机的功率发展趋势

跟着电动汽车对充电速率和成果的需求不休普及,OBC的功率品级也在渐渐升级。以下是OBC功率发展的主要阶段和往常场地:

6kW OBC:基础充电 诈欺场景:早期电动汽车,得方丈庭充电。 充电时代:8-10小时充满电。 特质:资本低,结构浅显,得当初学级车型。 11kW OBC:主流剿袭 诈欺场景:家庭和人人充电桩,适用于中高端电动汽车。 充电时代:4-6小时充满电。 特质:性能和资本均衡,清闲日常充电需求。 22kW OBC:高功率快充 诈欺场景:高性能电动汽车,适用于快充站。 充电时代:2-3小时充满电。 特质:采用碳化硅器件,成果更高,体积更小,补助快速充电。 30kW及以上OBC:往常超快充电 诈欺场景:800V高压平台,补助超快充电(如10分钟充至80%)。 特质:依赖碳化硅器件,齐备高成果和高可靠性,指标是将充电时代裁减至与传统燃油车加油相称。 往常趋势:双向充电与智能化 双向充电:补助车辆到电网(V2G)能量交互。 智能化:与电板管制、热管制深度集成,齐备智能充电和能量优化。

▲OBC功率发展趋势

04 为什么碳化硅功率器件逐步成为车载充电机的主流剿袭?

“穷则变,变则通,通则久。”

跟着电动汽车对充电成果和速率的条款不休提高,传统硅基器件的局限性逐步表现。碳化硅功率器件凭借其独到的物理本性,成为车载充电机限制的新宠。

碳化硅的物理上风 高耐压才调:碳化硅的临界电场强度高达2.2×10⁶ V/cm,远高于硅材料。 耐高温:碳化硅的熔点高达300°C,得当高温环境下的责任。 优异的散热性能:碳化硅的热导率为4.9 W/cmK,约略有用散热,减少器件过炎风险。

▲碳化硅的物理上风

碳化硅与硅基器件的对比 硅MOSFET的局限性:硅MOSFET在一语气导通方式下会产生高功率损耗,限制了其在高功率诈欺中的使用。而碳化硅MOSFET约略在一语气导通方式下高效运行,权臣责难损耗。 IGBT的局限性:IGBT的开关频率较低,导致磁性元件和无源组件的体积和分量加多。碳化硅功率器件的高开关频率则能大幅减少这些组件的尺寸和分量。

▲碳化硅功率器件的上风

恰是这些上风,使得碳化硅功率器件在车载充电机限制越来越受到爱重。

05 跟着电动汽车向800V甚而更高压平台发展,碳化硅基OBC具有何如的权臣上风? 更高的成果 低导通电阻:碳化硅器件在高压平台下具有更低的导通电阻,减少了电能损耗,普及了充电成果。快速开关本性 快速开关本性:碳化硅器件的开关速率比硅基器件快得多,约略责难开关经由中的能量失掉。 更高的功率密度 高频责任才调:碳化硅器件的高频责任才调使得OBC不错使用更小尺寸的磁性元件,从而减小合座体积,提高功率密度。高耐压才调 高耐压才调:碳化硅的高击穿电场强度使其约略承受更高的电压,补助更紧凑的联想。 更好的可靠性和强健性 出色的热性能:碳化硅的高热导率使其在高温环境下仍能保捏强健性能,减少故障风险。 耐高压本性:碳化硅器件约略松驰叮嘱高压环境,确保OBC在高压平台下永远可靠运行。 更好地妥当新的充电需求 补助大功率快充:碳化硅基OBC约略高效处理高功率充电需求,清闲用户对快速充电的期许。 双向充电功能优化:碳化硅器件约略高效齐备电能的双向流动,补助车辆到电网(V2G)等新式充电方式。

▲双向OBC补助新式车联网的案例

06 双向OBC怎样妥当不同充电场景并保证充电安全?

双向OBC常常采用两级架构:

· 前级:功率因数更动(PFC)模块:用于提高输入功率因数并扼制高次谐波。

· 后级:DC-DC改变器(LLC模块):用于清闲电板充电的电流电压条款,并齐备电气箝制。

通过休养输出电压,双向OBC约略妥当不同的充电场景,确保充电安全。举例,在电网充电方式下,OBC将疏浚电改变成直流电为电板充电;在车辆到电网(V2G)方式下,OBC将电板的直流电逆酿成疏浚电响应到电网。

▲双向OBC前后两级架构

07 双向OBC剿袭碳化硅进行大功率联想的意旨?

在800V架构下的双向OBC联想中,碳化硅功率器件展现出权臣上风:

高成果:碳化硅MOSFET约略权臣责难导通和开关损耗,普及合座成果。 高功率密度:碳化硅器件的高频责任才调使得OBC不错使用更小尺寸的磁性元件,减小体积和分量。 简化热管制:碳化硅的低功耗本性简化了热管制联想,责难了系统复杂性。

▲碳化硅基22kW双向OBC

08 爱仕特有哪些居品适用于大功率双向OBC?

算作碳化硅功率器件及诈欺有打算引颈者,爱仕特推出了适用于大功率双向OBC的MT4系列和MT7系列碳化硅MOSFET。这些居品不仅具备超卓的性能,还在双向充电工夫上齐备了要紧箝制。

▲爱仕特碳化硅功率改变贬责有打算

MT4系列(TO247-4)碳化硅MOSFET

· 低导通电阻:适用于高压、大电流环境,权臣责难功率损耗。

· 高可靠性:在高温、高湿度等复杂环境下仍能保捏强健性能。

▲爱仕特MT4系列碳化硅MOSFET先容

MT7系列(TO263-7)碳化硅MOSFET

· 快速开关:补助高效的双向能量改变,减少开关损耗。

· 优化散热:细致的热导率确保器件在高负荷下强健运行。

▲爱仕特MT7系列碳化硅MOSFET先容

09 结语

碳化硅功率器件凭借其超卓的性能,正在激动车载充电机工夫的更动。跟着电动汽车向高压平台和双向充电场地发展,碳化硅基OBC将成为未回电动汽车充电系统的中枢。爱仕特算作碳化硅工夫的引颈者,将不时力图于于为行业提供高效、可靠的贬责有打算,助力电动汽车产业的快速发展。

▲爱仕特居品矩阵体育游戏app平台

发布于:广东省

Powered by kaiyun体育网页版登录·官方网站 @2013-2022 RSS地图 HTML地图

Copyright Powered by站群 © 2013-2024